GaN 的制造新方法

砷化鎵（GaAs）通常是無限設備的首選材料，但由于GaAs在高功率下傳輸高頻信號的能力有限，使其傳輸高頻數據時出現延遲或者說數據傳輸速率低。相比之下，GaN具有以高功率高頻率傳輸大量數據信息的卓越能力，但由于材料制造的成本過高，通常需要諸如藍寶石等剛性襯底、精確的熱穩定性和化學穩定性，使其在應用上受到限制。另外，用這種方法在襯底上生長的GaN只能用于平坦的平面，不能彎曲或拉伸。

AFRL的新型GaN生產方法利用了氮化硼的物理特性。 GaN在氮化硼上生長，然后，利用氮化硼和氮化鎵生長表面之間的弱化學鍵，使得氮化鎵能夠轉移到另一個襯底上，從而在獨特的平臺和器件上實現通信能力。

成果意義

Glavin表示：“我們看到這個研究直接有益于空軍的兩個主要應用。一是可穿戴系統。當我們通過作戰人員等可穿戴設備攜帶人員收集更多信息時，或開發更多傳感器技術時，我們需要獲取這些信息并通知采取行動?；贕aN的靈活發射器可以更有效的完成這些操作。二是靈活的共形雷達技術。典型的雷達系統體積龐大，但使用這種技術，我們可以創建更容易集成到動態環境中的系統?！?/p>

另一個好處是直接在天線系統上進行功率放大。如果有一個靈活的功率放大器，就可以盡可能靠近雷達天線，只需要消除信號傳播的距離就可以提高性能。 靈活的氮化鎵能夠將放大器與天線放在同一個平臺上，提高性能和傳輸效率。

柔性GaN 潛力巨大

AFRL靈活射頻電子材料和工藝團隊負責人Donald Dorsey博士說：“進一步開發GaN材料時國防部的首要任務。我們是首個演示GaN柔性射頻晶體管器件，且能夠在拉伸情況下保持高性能的團隊。我們有能力研發出用于高功率通信和雷達的、更緊湊、多功能的GaN高頻發射機?！?/p>

隨著通信需求的不斷增長和迅速擴大，將GaN轉移到柔性或其他任意襯底的能力對空軍具有巨大的價值。

未來工作