典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

外延生長

采用金屬氧化物化學氣相沉積（MOCVD）或分子束外延（MBE）方式在SiC或Si襯底上外延GaN材料。

器件隔離

采用離子注入或者制作臺階（去除掉溝道層）的方式來實現器件隔離。射頻器件之間的隔離是制作射頻電路的基本要求。

歐姆接觸

形成歐姆接觸是指制作源極和漏極的電極。對GaN材料而言，制造歐姆接觸需要在很高的溫度下完成。

氮化物鈍化

在源極和漏極制作完成后，GaN半導體材料需要經過鈍化過程來消除懸掛鍵等界面態。GaN的鈍化過程通常采用SiN（氮化硅）來實現。

柵極制作

在SiN鈍化層上開口，然后沉積柵極金屬。至此，基本的場效應晶體管的結構就成型了。

場板制作

柵極制作完成后，繼續沉積額外的幾層金屬和氮化物，來制作場板、互連和電容，此外，也可以保護器件免受外部環境影響。

襯底減薄

襯底厚度減薄至100μm左右，然后對減薄后的襯底背部進行金屬化。

襯底通孔

通孔是指在襯底上表面和下表面之間刻蝕出的短通道，用于降低器件和接地(底部金屬化層)之間的電感。

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