來源：中國電子報

編者按：日前，第二屆全球IC企業家大會在上海舉辦。作為六個分論壇之一的化合物半導體產業趨勢論壇同期舉辦，分論壇由賽迪智庫集成電路研究所、中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟承辦，主題為《迎接化合物半導體的產業化浪潮》，與會專家就化合物半導體材料、芯片、設備等發展現狀及未來趨勢進行了研討。

蘇州納維科技有限公司董事長徐科：

2005年，甚至更早一點，碳化硅還沒有商業化的單晶碳化硅襯底，全部是在硅上生長，今天的氮化鎵是在碳化硅或者是硅上外延，所以從半導體材料角度來看，材料的質量是非常關鍵的。

氮化鎵的發展是從藍光LED發展開始的。藍光LED主要是在藍寶石上外延，是目前絕對主流技術。隨著技術的發展，基于氮化鎵的外延技術發展出了功率器件，特別是硅上的氮化鎵。將來這個技術最大的空間是電壓600V以下的功率器件。而射頻器件主要采用的是碳化硅基氮化鎵，主要因為散熱的考慮，現在基站射頻器件，70%的能量是熱量，30%是發射微波，碳化硅散熱更好，所以是首選。

從長遠發展來看，基于氮化鎵單晶材料的高質量，全氮化鎵器件是明確的發展方向，但是發展有多快，需要產業界慢慢驗證。其中一個是延續半導體照明和光電子，把半導體照明和LED技術繼續研發下去，尤其是做激光器肯定需要氮化鎵單晶材料，因為激光器的功率密度很高，這時材料質量的重要性就顯示出來了。未來，功率電子和微波也是全氮化鎵器件的發展方向。

氮化鎵的單晶材料生長最成熟的方法是HVPE法。首先，要把材料做得很厚，或者是質量做得很好，最重要的是要控制應力。其次，需要控制導電性，這有兩種方法：一個是摻Ge，一個是摻Si，業內目前傾向于摻Ge。最后，需要對材料進行表面拋光大，達到更完美的表面質量。

氮化鎵單晶材料非常重要，從技術上已經可以生產2英寸、4英寸和6英寸，但產業的真正發展還需要和器件的用戶共同推進。